Интересное

Samsung Electronics инвестирует $3 млрд. на строительство нового завода в Техасе

Samsung Electronics инвестирует $3 млрд. на строительство нового завода в Техасе


27 Январь 2014

Samsung Electronics инвестирует $3 млрд. на строительство нового завода в Техасе

Samsung Electronics в начале следующего года планирует инвестировать $3 млрд. на строительство завода по изготовлению полупроводников в г.Остине, Техас. Это самый большой инвестиционный проект корейской компании за пределами своей республики.

Официальный контракт будет заключен в начале следующего месяца в г.Остине на месте строительства нового завода.
Представитель компании Samsung Electronics Юн Джонг-йонг заявил вчера о начале строительства завода в начале следующего года и его полноценную работу уже в конце того же года.

Samsung Electronics уже имеет завод в г.Остине по производству карт памяти (мемори-чипов) DRAM, построенный еще в 1998 году. На новом же заводе планируется производство карт памяти (мемори-чипов) NAND Flash.
Лидер по производству чипов ожидает укрепления господства на глобальном рынке Flash-карт после открытия нового завода.